新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機驅(qū)動

(資料圖片僅供參考)

ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務器用的電源、工業(yè)和消費電子設(shè)備用的電機等。

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近年來，全球電力需求量持續(xù)增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業(yè)設(shè)備的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數(shù)，但對于普通的MOSFET而言，由于導通電阻與芯片尺寸成反比，Qgd會成比例增加，因此很難同時兼顧這兩項參數(shù)。針對這個課題，ROHM通過微細化工藝、采用銅夾片連接、改進柵極結(jié)構(gòu)等措施，改善了兩者之間的權(quán)衡關(guān)系。

新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導通電阻降低了50%。另外，通過改進柵極結(jié)構(gòu)，Qgd*3（柵-漏電荷，通常與導通電阻之間存在權(quán)衡關(guān)系）也比以往產(chǎn)品減少了約40%（Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產(chǎn)品之間的比較）。這可以降低開關(guān)損耗和導通損耗，非常有助于各種應用產(chǎn)品的高效率工作。例如，當在工業(yè)設(shè)備用電源評估板上比較電源效率時，新產(chǎn)品在穩(wěn)態(tài)工作時的輸出電流范圍內(nèi)，實現(xiàn)了業(yè)界超高的電源效率（峰值時高達約95%）。

新產(chǎn)品已于2023年1月開始暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格500日元/個，不含稅）。另外，新產(chǎn)品也已開始電商銷售，從Ameya360，Sekorm， Oneyac，RightIC等電商平臺均可購買。

未來，ROHM將繼續(xù)開發(fā)導通電阻更低的MOSFET，通過助力各種設(shè)備降低功耗和更加節(jié)能，為環(huán)境保護等社會問題貢獻力量。

＜產(chǎn)品陣容＞

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＜應用示例＞
◇通信基站和服務器用的電源
◇工業(yè)和消費電子產(chǎn)品用的電機
以及其他各種設(shè)備的電源電路和電機驅(qū)動。

＜電商銷售信息＞
起售時間：2023年4月開始
電商平臺：Ameya360，Sekorm， Oneyac，RightIC
在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

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＜術(shù)語解說＞
*1) Nch MOSFET
通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。
與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎。

*2) 導通電阻（Ron）
MOSFET導通時漏極和源極之間的電阻值。該值越小，導通時的功率損耗越少。

*3) Qgd（柵-漏電荷）
MOSFET開始導通后，柵極和漏極間的電容充電期間的電荷量。該值越小，開關(guān)速度越快，開關(guān)時的損耗（功率損耗）越小。